- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21642 > IRF3704L (International Rectifier)MOSFET N-CH 20V 77A TO-262 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF3704L |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 77A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 77A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1996pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 87W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF3704L |
IRF3704/3704S/3704L
90
V DS
R D
75
LIMITED BY PACKAGE
R G
V GS
D.U.T.
+
- V DD
60
10V
45
30
15
0
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
V DS
90%
25
50
75
100
125
150
175
T C , Case Temperature
( ° C)
10%
V GS
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
t d(on)
t r
t d(off)
t f
10
Case Temperature
Fig 10b. Switching Time Waveforms
1
D = 0.50
0.1
0.01
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
P DM
t 1
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT4127JB | SW CAP ROCKER FOR LED CLEAR WHT |
| SM31TB102 | TRIMMER 1K OHM 0.125W SMD |
| IRF3515L | MOSFET N-CH 150V 41A TO-262 |
| SM31TB101 | TRIMMER 100 OHM 0.125W SMD |
| IRF3415L | MOSFET N-CH 150V 43A TO-262 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3704LPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3704PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9.0mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3704S | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=77A) |
| IRF3704SPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3704STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。