参数资料
型号: IRF3704L
厂商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=77A)
中文描述: 功率MOSFET(减振钢板基本\u003d 20V的,的Rds(on)最大值\u003d 9.0mohm,身份证\u003d 77A条)
文件页数: 7/10页
文件大小: 125K
代理商: IRF3704L
IRF3704/3704S/3704L
www.irf.com
7
LEA D A SSIG NMEN TS
1 - GATE
2 - D RA IN
3 - S OU R CE
4 - D RA IN
- B -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
3X
0.55 (.022)
0.46 (.018)
2.92 (.115)
2.64 (.104)
4.69 (.185)
4.20 (.165)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
4.06 (.160)
3.55 (.140)
1.15 (.045)
MIN
6.47 (.255)
6.10 (.240)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
- A -
10.54 (.415)
10.29 (.405)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
15.24 (.600)
14.84 (.584)
14.09 (.555)
13.47 (.530)
3X
1.40 (.055)
1.15 (.045)
2.54 (.100)
2X
0.36 (.014) M B A M
4
1 2 3
N OTE S:
1 D IME NS IONING & TOLE RA NC ING PE R A NSI Y14.5M, 1982. 3 OU TLINE C ONFOR MS TO JE DEC OUTLIN E TO-220A B.
2 C ON TR OLLING D IMEN SION : INC H 4 HE ATSIN K & LE AD M EASU R EMEN TS D O NOT IN C LU DE BU R RS .
TO-220AB Part Marking Information
TO-220AB Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
PART NUMBER
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
EXAMPLE : THIS IS AN IRF1010
W ITH ASSEMBLY
LOT CODE 9B1M
ASSEMBLY
LOT CODE
DATE CODE
(YYW W )
YY = YEAR
W W = W EEK
9246
IRF1010
9B 1M
A
相关PDF资料
PDF描述
IRF3704S CONNECTOR, PICOFLEX, 4WAY; Connector type:Wire-to-Board; Ways, No. of:4; Termination method:Crimp; Rows, No. of:2; Pitch:1.27mm; Series:91935 RoHS Compliant: Yes
IRF3704STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 77A I(D) | TO-263AB
IRF3704Z HEXFET Power MOSFET
IRF3704ZL HEXFET Power MOSFET
IRF3704ZS HEXFET Power MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF3704LPBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3704PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9.0mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3704S 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=77A)
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IRF3704STRL 功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件