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参数资料
| 型号： | IRF3704ZPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 67A TO-220AB |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 67A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.9 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.55V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1220pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 57W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1518 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRF3704ZPBF |
IRF3704Z/S/LPbF
1000
100
VGS
TOP 10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
1000
100
VGS
TOP 10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
3.0V
10
3.0V
10
1
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
0.1
1
10
0.1
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000.0
100.0
T J = 25°C
T J = 175°C
2.0
1.5
ID = 42A
VGS = 10V
1.0
VDS = 10V
60μs PULSE WIDTH
10.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
vs. Temperature
3
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PDF描述 |
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