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参数资料
| 型号： | IRF3704ZSPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 67A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.9 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.55V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1220pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 57W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF3704ZSPBF |
IRF3704Z/S/LPbF
15V
140
VDS
L
DRIVER
120
100
I D
TOP 5.6A
8.5A
BOTTOM 17A
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
80
60
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (BR)DSS
tp
40
20
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting T J, Junction Temperature (°C)
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
V DS
L D
+
V DD -
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
V GS
D.U.T
Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
50K ?
- DS
12V
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
+
V
Fig 14a. Switching Time Test Circuit
V DS
90%
V GS
3mA
10%
6
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13. Gate Charge Test Circuit
V GS
t d(on) t r t d(off) t f
Fig 14b. Switching Time Waveforms
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISNA-0249-D104 | ISNA PULSE TRANSFORMER SMD 0.1A |
| 636M3C001M84320 | OSCILLATOR 1.8432 MHZ 1.8V SMD |
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| GLAA01K8C | SWITCH WISKER HEAD SNAP ACT SPDT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3704ZSPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
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| IRF3704ZSTRRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3705NS | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| IRF3706 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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