- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17653 > IRF3707PBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF3707PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1990pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 87W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1518 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRF3707PBF |
IRF3707S/LPbF
TO-220AB Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
10.54 (.415)
10.29 (.405)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
-A-
4.69 (.185)
4.20 (.165)
-B-
1.32 (.052)
1.22 (.048)
6.47 (.255)
15.24 (.600)
4
6.10 (.240)
HEXFET
IGBTs, CoPACK
14.84 (.584)
1.15 (.045)
MIN
LEAD ASSIGNMENTS
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
1- GATE - DRAIN
1- GATE
14.09 (.555)
13.47 (.530)
1
2
3
4.06 (.160)
3.55 (.140)
2
3 -
4 -
2- DRAIN SOURCE 2- COLLECTOR
3- SOURCE DRAIN 3- EMITTER
4- DRAIN 4- COLLECTOR
3X
3X
3X
1.40 (.055)
1.15 (.045)
0.93 (.037)
0.69 (.027)
0.36 (.014)
M
B A M
0.55 (.022)
0.46 (.018)
2.92 (.115)
2.54 (.100)
2X
NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH
2.64 (.104)
3 OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-220AB.
4 HEATSINK & LEAD MEASUREMENTS DO NOT INCLUDE BURRS.
TO-220AB Part Marking Information
E XAMPL E : T HIS IS AN IR F 1010
www.irf.com
L OT CODE 1789
AS S E MB L E D ON WW 19, 1997
IN T H E AS S E MB L Y L INE "C"
Note: "P" in assembly line
position indicates "Lead-Free"
INT E R NAT IONAL
R E CT IF IE R
L OGO
AS S E MB L Y
L OT CODE
PAR T NU MB E R
DAT E CODE
YE AR 7 = 1997
WE E K 19
L INE C
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3706PBF | MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB |
| IRL3715SPBF | MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK |
| ABLS2-15.000MHZ-D4Y-T | CRYSTAL 15.0000 MHZ 18PF SMD |
| 3296X-1-101 | TRIMMER 100 OHM 0.5W TH |
| ABLS2-40.000MHZ-D4YF-T | CRYSTAL 40.0000 MHZ 18PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3707S | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3707SPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3707STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3707STRLPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH SMPS HEXFET 30V 12.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3707STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。