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参数资料
| 型号： | IRF3707ZS |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 59A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1210pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 57W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF3707ZS |
IRF3707Z/S/L
60
50
Limited By Package
2.5
2.0
40
30
1.5
ID = 250μA
20
1.0
10
0
25
50
75
100
125
150
175
0.5
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
T C , Case Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
10
T J , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature
1
D = 0.50
0.20
0.10
τ C
0.1
0.05
0.02
0.01
τ J
τ J
τ 1
τ 1
R 1
R 1
τ 2
R 2
R 2
τ 2
R 3
R 3
τ 3
τ 3
τ
Ri (°C/W) τ i (sec)
1.163 0.000257
1.073 0.001040
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Ci= τ i / Ri
Ci= τ i / Ri
0.419 0.003089
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
5
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