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参数资料
| 型号： | IRF3708SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2417pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 87W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF3708SPBF |
PD - 95363
IRF3708PbF
SMPS MOSFET
IRF3708SPbF
IRF3708LPbF
Applications
l High Frequency DC-DC Isolated Converters
with Synchronous Rectification for Telecom
and Industrial Use
l High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
Lead-Free
l
Benefits
Ultra-Low Gate Impedance
l
Very Low R DS(on) at 4.5V V GS
l
V DSS
30V
HEXFET ? Power MOSFET
R DS(on) max I D
12m ? 62A
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
TO-220AB
IRF3708
D 2 Pak
IRF3708S
TO-262
IRF3708L
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V DS
V GS
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 70°C
I DM
P D @T C = 25°C
P D @T C = 70°C
T J , T STG
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Maximum Power Dissipation ?
Maximum Power Dissipation ?
Linear Derating Factor
Junction and Storage Temperature Range
Max.
30
±12
62
52
248
87
61
0.58
-55 to + 175
Units
V
V
A
W
W
W/°C
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
R θ CS
R θ JA
R θ JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface ?
Junction-to-Ambient ?
Junction-to-Ambient (PCB mount) *
–––
0.50
–––
–––
1.73
–––
62
40
°C/W
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
Notes ? through ? are on page 10
www.irf.com
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6/10/04
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