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参数资料
| 型号： | IRF3709ZSTRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 87A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.3 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2130pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF3709Z/S/LPbF
10000
1000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
C iss = C gs + Cgd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + Cgd
Ciss
6.0
5.0
4.0
3.0
ID= 17A
VDS= 24V
VDS= 15V
Coss
2.0
100
Crss
1.0
0.0
1
10
100
0
5
10
15
20
25
1000.00
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
10000
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
1000
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100.00
T J = 175°C
100
100μsec
10
10.00
T J = 25°C
1msec
1.00
VGS = 0V
1
0.1
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
10msec
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
10
100
1000
4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3710L | MOSFET N-CH 100V 57A TO-262 |
| IRF3711ZCSTRLP | MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK |
| IRF3711ZSTRLPBF | MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK |
| IRF4905STRR | MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK |
| IRF510STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3709ZSTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3709ZSTRRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 87A 6.3mOhm 17nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3710 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| IRF3710HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 57A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube |
| IRF3710L | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 57A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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