收藏本站
参数资料
型号： IRF3711ZSPBF
厂商： International Rectifier
文件页数： 1/13页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
标准包装： 50
系列： HEXFET®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 92A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 6 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 2.45V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 24nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 2150pF @ 10V
功率 - 最大： 79W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装： D2PAK
包装： 管件
其它名称： *IRF3711ZSPBF
PD - 95530
IRF3711ZPbF
IRF3711ZSPbF
IRF3711ZLPbF
Applications
l High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
l Lead-Free
Benefits
HEXFET ? Power MOSFET
V DSS R DS(on) max Qg
20V 6.0m : 16nC
l
l
l
Low R DS(on) at 4.5V V GS
Ultra-Low Gate Impedance
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
TO-220AB
IRF3711Z
D 2 Pak
IRF3711ZS
TO-262
IRF3711ZL
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
V DS
V GS
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
P D @T C = 100°C
T J
T STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw
20
± 20
92
65
380
79
40
0.53
-55 to + 175
300 (1.6mm from case)
10 lbf in (1.1N m)
V
A
W
W/°C
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
R θ CS
R θ JA
R θ JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
–––
0.50
–––
–––
1.89
–––
62
40
°C/W
Notes ? through ? are on page 12
www.irf.com
1
7/20/04
相关PDF资料
PDF描述
SI4737-C40-GMR IC RX AM/FM/WB RDS/RBDS 20UQFN
SI4737-C40-GUR IC RX AM/FM/WB RDS/RBDS 24SSOP
IRF3711ZPBF MOSFET N-CH 20V 92A TO-220AB
ZVN4206GTA MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
SI4736-C40-GUR IC RX AM/FM/WB RADIO 24SSOP
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF3711ZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3711ZSTRLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3711ZSTRR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3711ZSTRRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3717 功能描述:MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*