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参数资料
| 型号： | IRF510PBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB |
| 产品目录绘图： | IR(F,L)x Series Side 1 IR(F,L)x Series Side 2 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 540 毫欧 @ 3.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 43W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1528 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRF510PBF |
IRF510, SiHF510
Vishay Siliconix
V DS
R D
6.0
R G
V GS
D.U.T.
+
- V DD
5.0
10 V
4.0
3.0
2.0
1.0
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
V DS
90 %
0.0
25
50
75
100
125
150
175
91015_09
T C , Case Temperature (°C)
10 %
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
10
0 - 0.5
1
0.2
0.1
0.05
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
P DM
0.1
0.02
0.01
Single Pulse
(Thermal Response)
t 1
t 2
Notes:
1. Duty Factor, D = t 1 /t 2
10 -2
2. Peak T j = P DM x Z thJC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
0.1
1
10
91015_11
Document Number: 91015
S11-0511-Rev. B, 21-Mar-11
t 1 , Rectangular Pulse Duration (s)
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.vishay.com
5
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CR4460-75 | TRANSDCR CRRNT RMS AC 0-75AAC IN |
| CR4110-75 | TRANSDUCER AC 0-75 AAC INPUT |
| 3781-24-3 | CORD MINIGRABBER PATCH 24"ORANGE |
| CRD4170-15 | DGTL SENSOR THREE ELEMENT 0-15AA |
| 0638950802 | ANVIL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF510PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF510R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-220AB |
| IRF510S | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF510SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF510STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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