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参数资料
| 型号： | IRF510PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 247K |
| 代理商： | IRF510PBF |
www.irf.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF510S | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A) |
| IRF520L | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A) |
| IRF520NS | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A) |
| IRF520VL | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) |
| IRF520VS | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF510PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF510R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-220AB |
| IRF510S | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF510SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF510STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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