- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录261244 > IRF513-005 4.9 A, 80 V, 0.74 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF513-005 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 4.9 A, 80 V, 0.74 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | IRF513-005 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF522-012PBF | 8 A, 100 V, 0.36 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF522-009PBF | 8 A, 100 V, 0.36 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF522-005PBF | 8 A, 100 V, 0.36 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF522-002PBF | 8 A, 100 V, 0.36 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF522-005 | 8 A, 100 V, 0.36 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF513R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220AB |
| IRF520 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF520_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF520A | 功能描述:MOSFET 9.2A 100V .4 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF520CHIP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.2A I(D) | CHIP |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。