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参数资料
| 型号： | IRF520NSTRL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 5.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 330pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF520NS/L
Tape & Reel Information
D 2 Pak
TR R
1 .6 0 (.0 6 3 )
1 .5 0 (.0 5 9 )
F E E D D IRE CTIO N 1 .8 5 (.0 7 3 )
4 .1 0 (.1 6 1 )
3 .9 0 (.1 5 3 )
1 .6 0 (.0 6 3 )
1 .5 0 (.0 5 9 )
1 1.6 0 (.4 57 )
0 .3 6 8 (.0 1 4 5 )
0 .3 4 2 (.0 1 3 5 )
1 .6 5 (.0 6 5 )
1 1.4 0 (.4 49 )
1 5.4 2 (.6 0 9 )
1 5.2 2 (.6 0 1 )
2 4 .3 0 (.9 5 7 )
2 3 .9 0 (.9 4 1 )
TR L
1 .7 5 (.0 6 9 )
1 0.9 0 (.4 2 9 )
1 0.7 0 (.4 2 1 )
1 .2 5 (.0 4 9 )
1 6 .1 0 (.6 3 4 )
4 .7 2 (.1 3 6)
4 .5 2 (.1 7 8)
1 5 .9 0 (.6 2 6 )
F E E D D IRE CTIO N
NO TES :
3 30 .0 0
(14.1 73)
MAX.
13 .5 0 (.53 2)
12 .8 0 (.50 4)
27 .40 (1.0 79)
23 .90 (.94 1)
4
60.00 (2.3 62)
M IN .
30 .40 (1.19 7)
MAX.
1. C O M F O R M S T O E IA-4 18.
2. C O N TR O LL IN G D IM E N S IO N : M IL LIM E T E R .
3. D IM E N S IO N M E A SU R E D @ H U B .
4. IN C LU D E S F L AN G E D IS T O R T IO N @ O U TE R E D G E.
26 .40 (1 .03 9)
24 .40 (.9 61 )
3
4
WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA: 7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST: K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA: 315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice. 5/98
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1300900009 | CORD REEL 35' 16AWG 3COND 6A |
| 12PA5-BK | TP SERIES ACTUATOR BUTTON BLACK |
| A3DT-500GY | BUILT-IN LED PUSHBUTTON |
| BAS70DW-06-7-F | DIODE SCHOTTKY ARRAY 70V SOT363 |
| IRF3315STRL | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF520NSTRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| IRF520NSTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 9.5A 200mOhm 16.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF520NSTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF520NSTRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 9.7A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
| IRF520NSTRRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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