- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18814 > IRF530SPBF (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF530SPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 8.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 670pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | IRF530SPBFCT IRF530SPBFCT-ND |
IRF530S, SiHF530S
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
V GS
10 1
Top 15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom 4.5 V
10 1
25 ° C
175 ° C
10 0
4.5 V
10 0
20 μs Pulse Width
T C = 25 °C
20 μs Pulse Width
V DS = 50 V
10 -1
10 0
10 1
4
5
6
7
8
9
10
91020_01
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
91020_03
V GS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics, T C = 25 °C
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
Top
V GS
15 V
10 V
3.5
3.0
I D = 14 A
V GS = 10 V
8.0 V
10 1
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
2.5
2.0
Bottom 4.5 V
4.5 V
1.5
10 0
20 μs Pulse Width
T C = 175 °C
1.0
0.5
10 -1
10 0
10 1
0.0
- 60- 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
91020_02
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91020_04
T J, Junction Temperature (°C)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics, T C = 175 °C
Document Number: 91020
S11-1046-Rev. C, 30-May-11
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
www.vishay.com
3
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| C783CP | THYRISTOR DISC 3000V 1800A TBK |
| C782LB | THYRISTOR DISC 2200V 2300A TBK |
| 7C-8.000MBA-T | OSC 8.000 MHZ 3.3V SMT |
| R7222005ASOO | RECTIFIER FAST REC 2000V 500A |
| 601W-60 GRN | LEAD TEST MINIHK-BANAPLG 60" |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF530STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF530STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF530STRR | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF530STRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF531 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Motorola 功能描述:IRF531 MOTOROLA S9G3A 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。