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参数资料
| 型号： | IRF540STRLPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 77 毫欧 @ 17A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 72nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF540STRLPBFDKR |
IRF540S, SiHF540S
Vishay Siliconix
V DS
R D
30
25
R g
V GS
D.U.T.
+
- V DD
20
15
10
10 V
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
5
V DS
0
90 %
25
50
75
100
125
150
175
91022_09
T C , Case Temperature (°C)
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
10 %
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
10
1
D = 0.5
P DM
0.2
0.1
0.1
0.05
t 1
t 2
10 -2
0.02
0.01
Single Pulse
(Thermal Response)
Notes:
1. Duty Factor, D = t 1 /t 2
2. Peak T j = P DM x Z thJC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
0.1
1
10
91022_11
Document Number: 91022
S11-1046-Rev. D, 30-May-11
t 1 , Rectangular Pulse Duration (s)
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.vishay.com
5
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32520C1334K289 | FILM CAP 0.3300UF 10% 100V |
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| B32620A272K289 | FILM CAP 0.0027UF 10% 1KV |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF540STRR | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 28 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IRF540ZHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 36A 3PIN TO-220AB - Bulk |
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