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参数资料
| 型号： | IRF620SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET (VDSS=200V , RDS(on)=0.80ヘ , ID=5.2A ) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 200V的电压，的RDS（on）\u003d 0.80ヘ，身份证\u003d 5.2A） |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 1832K |
| 代理商： | IRF620SPBF |
www.irf.com
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IRF620SPbF
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF620STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF620STRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF621 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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