参数资料
型号: IRF634
厂商: International Rectifier
元件分类: MOSFETs
英文描述: 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述: 30V的N沟道的PowerTrench MOSFET的
文件页数: 1/6页
文件大小: 171K
代理商: IRF634
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PDF描述
IRF634 N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET
IRF634FP N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET
IRF634A Advanced Power MOSFET
IRF640L Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)
IRF640N Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF634A 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
IRF634B 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
IRF634B_FP001 功能描述:MOSFET 250V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF634FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET
IRF634L 功能描述:MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件