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参数资料
| 型号： | IRF6604 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET |
| 其它有关文件： | DirectFET MOSFET 4Ps Checklist |
| 产品变化通告： | (EP) Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet Circuit IR Hexfet Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.5 毫欧 @ 12A，7V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2270pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 MQ |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? MQ |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面： | 1525 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRF6604 IRF6604CT |
IRF6604
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
m ?
BV DSS
?Β V DSS / ? T J
R DS(on)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
30
–––
–––
–––
–––
27
9.0
10
–––
–––
11.5
13
V V GS = 0V, I D = 250μA
mV/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
V GS = 7.0V, I D = 12A
V GS = 4.5V, I D = 9.6A
V GS(th)
? V GS(th) / ? T J
I DSS
I GSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
1.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
-4.5
–––
–––
–––
–––
–––
2.1 V
––– mV/°C
30 μA
50 μA
100
100 nA
-100
V DS = V GS , I D = 250μA
V DS = 24V, V GS = 0V
V DS = 30V, V GS = 0V
V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 125°C
V GS = 12V
V GS = -12V
gfs
Q g
Q gs1
Q gs2
Q gd
Q godr
Q sw
Q oss
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q gs2 + Q gd )
Output Charge
38
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
17
4.1
1.0
6.3
5.6
7.3
9.5
–––
26
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
nC
V DS = 15V, I D = 9.6A
V DS = 15V
V GS = 4.5V
I D = 9.6A
See Fig. 16
V DS = 16V, V GS = 0V
R G
t d(on)
t r
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
–––
–––
–––
1.1
11
4.3
2.0
–––
–––
?
V DD = 15V, V GS = 4.5V
I D = 9.6A
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
18
25
2270
420
190
–––
–––
–––
–––
–––
ns
pF
Clamped Inductive Load
V GS = 0V
V DS = 15V
? = 1.0MHz
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
E AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
–––
–––
–––
32
9.6
0.23
mJ
A
mJ
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
Continuous Source Current
–––
–––
42
MOSFET symbol
D
I SM
(Body Diode)
Pulsed Source Current
–––
–––
92
A
showing the
integral reverse
G
p-n junction diode.
V SD
t rr
Q rr
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
0.94
31
26
1.2
47
39
V
ns
nC
S
T J = 25°C, I S = 9.6A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 9.6A
di/dt = 100A/μs
2
www.irf.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6604TR1 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6607 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6607TR1 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6608 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6608TR1 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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