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参数资料
| 型号： | IRF6613TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET |
| 其它有关文件： | DirectFET MOSFET 4Ps Checklist |
| 产品变化通告： | (EP) Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.4 毫欧 @ 23A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5950pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 MT |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? MT |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRF6613TR1 IRF6613TR1CT |
IRF6613
1000
1000
100
TOP
BOTTOM
VGS
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
TOP
BOTTOM
VGS
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
100
10
2.7V
2.7V
1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
10
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
1000.0
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
2.0
I D = 23A
VGS = 10V
100.0
10.0
TJ = 150°C
1.5
1.0
TJ = 25°C
VDS = 15V
≤ 60μs PULSE WIDTH
1.0
0.1
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature
100000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
12
10
ID= 18A
VDS = 32V
VDS= 20V
Coss = Cds + Cgd
10000
Ciss
8
6
1000
Coss
4
Crss
2
100
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
www.irf.com
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage
3
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PDF描述 |
|---|---|
| 3269W-1-500GLF | TRIMMER 50 OHM 0.25W SMD |
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参数描述 |
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