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参数资料
| 型号： | IRF6618TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | DirectFET㈢Power MOSFET ㈢ |
| 中文描述： | 的DirectFET功率MOSFET㈢㈢ |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 2061K |
| 代理商： | IRF6618TRPBF |
www.irf.com
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IRFP260PbF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6619 | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6619 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes |
| IRF6619PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET |
| IRF6619TR1 | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6619TR1PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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