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参数资料
| 型号： | IRF710-030 |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2 A, 400 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | IRF710-030 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF624-015PBF | 4.4 A, 250 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF9520-004 | 6.8 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF9630-029 | 6.5 A, 200 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF9610-010PBF | 1.8 A, 200 V, 3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF9620STRLPBF | 2.5 A, 200 V, 1.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7101 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL NN LOGIC SO-8 |
| IRF7101HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 3.5A 8SOIC - Rail/Tube |
| IRF7101PBF | 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 100mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7101TR | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF7101TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 3.5A 8SOIC - Tape and Reel |
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