- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384491 > IRF7103PBF (International Rectifier) HEXFET Power MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF7103PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 284K |
| 代理商： | IRF7103PBF |
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
'()*'
+
&12!&:$./.4*#4"
&
+4+$**+6
#$4$"6-"#J
$**+6#60$@#@
#J #4J+$ "
$.6"+$"
.,2$6+
1$+)*
.,.5/+
$$ $":$$
+
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7105PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRF7105 | EVALUATION KIT |
| IRF7205 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7207 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7240 | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7103Q | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| IRF7103QHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 50V 3A 8PIN SO - Rail/Tube |
| IRF7103QPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7103QTR | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 3A I(D) | SO |
| IRF7103QTRPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。