- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录261248 > IRF713-004 1.7 A, 350 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF713-004 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 1.7 A, 350 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | IRF713-004 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF713-002 | 1.7 A, 350 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF713 | 1.7 A, 350 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF720-001 | 3.3 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF720-001 | 3.3 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF721-013PBF | 3.3 A, 350 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF713R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | TO-220AB |
| IRF720 | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 3.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF720_R4943 | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7201 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7201HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SOIC |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。