参数资料
型号: IRF720LPBF
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 3/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-262
产品目录绘图: IRF TO-262 Series Side 1
IRF TO-262 Series Side 2
标准包装: 1,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 400V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.8 欧姆 @ 2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 410pF @ 25V
功率 - 最大: 50W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装: TO-262-3
包装: 管件
其它名称: *IRF720LPBF
IRF720, SiHF720
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
10 1
Top
V GS
15 V
10 2
10 V
8.0 V
7.0 V
10 0
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom 4.5 V
10 1
150 ° C
25 ° C
10 -1
4.5 V
10 0
20 μs Pulse Width
20 μs Pulse Width
10 -2
10 -1
10 0
T C = 25 °C
10 1
4
5
6
7
V DS = 50 V
8 9
10
91043_01
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
91043_03
V GS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics, T C = 25 °C
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
10 1
Top
V GS
15 V
10 V
3.5
3.0
I D = 3.3 A
V GS = 10 V
8.0 V
7.0 V
2.5
10 0
6.0 V
10 -1
5.5 V
5.0 V
Bottom 4.5 V
4.5 V
2.0
1.5
1.0
0.5
20 μs Pulse Width
10 -2
10 -1
10 0
T C = 150 °C
10 1
0.0
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
91043_02
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91043_04
T J, Junction Temperature (°C)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics, T C = 150 °C
Document Number: 91043
S11-0508-Rev. B, 21-Mar-11
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
www.vishay.com
3
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THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
IRF720PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF720R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-220AB
IRF720S 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF720SPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF720STRL 功能描述:MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件