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参数资料
| 型号： | IRF7343PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 231K |
| 代理商： | IRF7343PBF |
8
www.irf.com
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
I =
-3.1A
V
=-12V
DS
V
=-30V
DS
V
=-48V
DS
)
)
$%""('"*"+,&"-
0.1
0.0001
1
10
100
0.001
0.01
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
1
10
100
0
240
480
720
960
1200
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRF7343QPBF_10 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET |
| IRF7343QTRPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7343TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7343TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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