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参数资料
| 型号： | IRF7353D1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 32 毫欧 @ 5.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7353D1 |
IRF7353D1
Power Mosfet Characteristics
100
TOP
VGS
15V
100
TOP
VGS
15V
10
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
3.0V
20μs PULSE WIDTH
10
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
3.0V
20μs PULSE WIDTH
1
0.1
1
T J = 25°C
A
10
1
0.1
1
T J = 150°C
A
10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
10
T J = 25°C
T J = 150°C
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 5.8A
1
3.0
3.5
4.0
V DS = 10V
20μs PULSE WIDTH
4.5 5.0
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V GS = 10V
80 100 120 140 160
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF7353D2PBF | 功能描述:MOSFET 30V FETKY 20 VBRD 29mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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