型号: | IRF7353D2 |
厂商: | International Rectifier |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
中文描述: | 30V的N沟道的PowerTrench MOSFET的 |
文件页数: | 7/8页 |
文件大小: | 170K |
代理商: | IRF7353D2 |
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PDF描述 |
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参数描述 |
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IRF7353D2PBF | 功能描述:MOSFET 30V FETKY 20 VBRD 29mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF7353D2PBFTR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC T/R |
IRF7353D2QPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET COPACK WITH SCHOTTKY, 30V, 6.5A, 29 MOHM, - Rail/Tube |
IRF7353D2QTRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET COPACK WITH SCHOTTKY, 30V, 6.5A, 29 MOHM, - Tape and Reel |
IRF7353D2TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |