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参数资料
| 型号： | IRF7389PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | IRF7389PBF |
www.irf.com
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T = 150°C
3.0V
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T = 25°C
T = 150°C
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
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V = 10V
20μs PULSE WIDTH
1
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0.4
0.6
V , Source-to-Drain Voltage (V)
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
GS
I
S
A
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| IRF740 | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF740 HAR | 制造商:HAR 功能描述:IRF740 HARRIS |
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