参数资料
型号: IRF7402
厂商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件页数: 6/8页
文件大小: 136K
代理商: IRF7402
IRF7402
6
www.irf.com
0.0
0.1
0.2
0.3
0
3
6
9
12
15
A
I , Drain Current (A)
VGS =5V
VGS = 2.5V
R
D
Fig 13.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Fig 14.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
R
D
0.02
0.03
0.04
0.05
2
4
6
8
A
D
D
GS
V
, Gate-to-Source Voltage (V)
I
= 5.7A
Fig 12a.
Basic Gate Charge Waveform
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
4.5V
Fig 12b.
Gate Charge Test Circuit
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IRF7402TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7402TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 6.8A 35mOhm 14nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7403 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件