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参数资料
| 型号： | IRF741-009 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 10 A, 350 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | IRF741-009 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF741-006 | 10 A, 350 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF741-003 | 10 A, 350 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF742-009PBF | 8.3 A, 400 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF742-006PBF | 8.3 A, 400 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF742-012 | 8.3 A, 400 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7410GPBF | 功能描述:MOSFET P-Ch HEXFET -12V 7mOhm -16A ID RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7410GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -16A 7mOhm 91nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7410HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 16A 8-Pin SOIC |
| IRF7410PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 7mOhms 91nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7410TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -12V, -16A, 7 mOhm, 91 nC Qg, SO-8 |
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