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参数资料
| 型号： | IRF7413Z |
| 厂商： | International Rectifier |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 210K |
| 代理商： | IRF7413Z |
www.irf.com
1
6/23/03
IRF7413Z
HEXFET Power MOSFET
Notes
through are on page 10
Benefits
l Ultra-Low Gate Impedance
l Very Low RDS(on)
l Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
l Control FET for Notebook Processor
Power
l Control and Synchronous Rectifier
MOSFET for Graphics Cards and POL
Converters in Computing, Networking
and Telecommunication Systems
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
G
S
A
S
A
SO-8
PD - 94646
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
VDS
Drain-to-Source Voltage
V
VGS
Gate-to-Source Voltage
ID @ TA = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
ID @ TA = 70°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
A
IDM
Pulsed Drain Current
c
PD @TA = 25°C
Power Dissipation
W
PD @TA = 70°C
Power Dissipation
Linear Derating Factor
W/°C
TJ
Operating Junction and
°C
TSTG
Storage Temperature Range
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
RθJL
Junction-to-Drain Lead
–––
20
°C/W
RθJA
Junction-to-Ambient
f
–––
50
-55 to + 150
2.5
0.02
1.6
Max.
13
10
100
± 20
30
VDSS
RDS(on) max
ID
30V
10m
:@V
GS = 10V
13A
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PDF描述 |
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