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参数资料
| 型号： | IRF7456PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的开关电源 |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | IRF7456PBF |
www.irf.com
1
IRF7456PbF
SMPS MOSFET
HEXFET Power MOSFET
R
DS(on)
max
0.0065
High Frequency DC-DC Converters
with Synchronous Rectification
Lead-Free
Applications
Ultra-Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
Low Charge and Low Gate Impedance to
Reduce Switching Losses
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
V
DSS
20V
I
D
16A
Typical SMPS Topologies
Telecom 48V Input Converters with Logic-Level Driven Synchronous Rectifiers
through
are on page 8
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
A
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
A
= 70°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
A
= 25°C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
A
= 70°C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 0.02 W/°C
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
20
Units
V
Drain-Source Voltage
± 12 V
16
13
130
2.5
1.6
A
W
W
-55 to + 150
°C
Parameter
Max.
50
Units
°C/W
R
θ
JA
Maximum Junction-to-Ambient
Thermal Resistance
SO-8
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
D
G
S
A
S
S
A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7460PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7466PBF | SMPS MOSFET |
| IRF7468PBF | SMPS MOSFET |
| IRF7469PBF | SMPS MOSFET |
| IRF7477PBF | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7456TR | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF7456TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7456TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 16A 6.5mOhm 41nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7457 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7457PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 28nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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