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参数资料
| 型号： | IRF7457TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3100pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7457
0.030
0.025
VGS = 4.5V
0.020
0.018
0.016
0.020
0.014
0.015
0.012
I D = 15A
0.010
0.010
0.005
0.000
VGS = 10V
0.008
0.006
0
20
40
60
80
100
120
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
ID , Drain Current ( A )
Fig 12. On-Resistance Vs. Drain Current
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 14. On-Resistance Vs. Gate Voltage
12V
.2 μ F
50K ?
.3 μ F
V GS
Q GS
Q G
Q GD
- DS
VGS
D.U.T.
+
V
V G
700
TOP
I D
5.4A
3mA
I G
I D
Charge
600
BOTTOM
9.6A
12A
Current Sampling Resistors
500
Fig 13a&b. Basic Gate Charge Test Circuit
400
and Waveform
300
200
15V
tp
V (B R )D S S
VD S
L
DRIVER
100
I AS
RG
20 V
tp
D.U .T
IA S
0.0 1 ?
+
-
VD D
A
0
25
50 75 100 125
Starting T J , Junction Temperature ( ° C)
150
Fig 14a&b. Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
6
Fig 14c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7459TRPBF | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC |
| IRF7459TR | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC |
| IRF7460TR | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC |
| IRF7463TR | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| IRF7464TR | MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7457TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 15A 7mOhm 28nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7458 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7458HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC |
| IRF7458PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 39nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7458TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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