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参数资料
| 型号： | IRF7460 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2050pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7460 |
IRF7460
100000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = C gs + Cgd, C ds
SHORTED
10
I D = 9.6A
V DS = 10V
10000
1000
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
Coss
8
6
4
Crss
100
2
10
0
1
10
100
0
10
20
30
40
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
T J = 150 C
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
°
10
100
10us
100us
1
T J = 25 ° C
10
1ms
T A = 25 C
0.1
0.4
0.6
0.8
V GS = 0 V
1.0 1.2
°
T J = 150 ° C
Single Pulse
1
0.1
1
10
10ms
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7459 | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC |
| P51-1500-A-U-I12-20MA-000-000 | SENSOR 1500PSI 7/16-20-2B 4-20MA |
| REC3-0505DR/H1M/SMD-R | CONV DC/DC 3W 5VIN +/-05VOUT |
| P51-50-G-H-M12-4.5V-000-000 | SENSOR 50PSI M12-1.5 6G .5-4.5V |
| P51-500-A-F-D-4.5V-000-000 | SENSOR 500PSI 1/4-18NPT .5-4.5V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7460HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOIC |
| IRF7460PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7460TR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7460TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7460TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 10A 10mOhm 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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