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参数资料
| 型号： | IRF7484PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 14A，7V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 7V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3520pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7484PBF |
IRF7484PbF
100000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds
Crss = Cgd
SHORTED
8
7
I D = 14A
V DS = 32V
V DS = 20V
V DS = 8V
10000
1000
100
10
Coss = Cds + Cgd
Ciss
Coss
Crss
6
5
4
3
2
1
0
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000
1000
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100
T J = 150°C
100
100μsec
10
10
1msec
1
T J = 25°C
1
10msec
Tc = 25°C
0.10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VGS = 0V
1.2 1.4
0.1
0
Tj = 150°C
Single Pulse
1
10
100
1000
4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F930J227KBA | CAP TANT 220UF 6.3V 10% 1411 |
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| IRFU15N20DPBF | MOSFET N-CH 200V 17A I-PAK |
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| F951E225KAAAQ2 | CAP TANT 2.2UF 25V 10% 1206 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7484Q | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7484QPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 40V, 14A, 10 MOHM, 69 NC QG, SO-8 - Rail/Tube |
| IRF7484QTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFET, 40V, 14A 10 mOhm, 69 nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7484TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 14A 8SOIC - Tape and Reel |
| IRF7484TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 14A 10mOhm 69nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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