- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21658 > IRF7811A (International Rectifier)MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF7811A |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 28V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1760pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7811A |
PD - 93810
PD - 93811
IRF7809A/IRF7811A
PROVISIONAL DATASHEET
?
?
?
N-Channel Application-Specific MOSFETs
Ideal for CPU Core DC-DC Converters
Low Conduction Losses
HEXFET ? Chipset for DC-DC Converters
?
?
Low Switching Losses
Minimizes Parallel MOSFETs for high current
S
1
8
A
A
D
applications
Description
These new devices employ advanced HEXFET ? Power
MOSFET technology to achieve an unprecedented balance
of on-resistance and gate charge. The reduced conduction
and switching losses make them ideal for high efficiency
SO-8
S
S
G
2
3
4
T o p V ie w
7
6
5
D
D
D
DC-DC converters that power the latest generation of
microprocessors.
Both the IRF7809A and IRF7811A have been optimized
and are 100% tested for all parameters that are critical in
DEVICE RATINGS
synchronous buck converters including R DS(on) , gate charge
and Cdv/dt-induced turn-on immunity. The IRF7809A offers
particulary low R DS(on) and high Cdv/dt immunity for
synchronous FET applications. The IRF7811A offers an
extremely low combination of Q sw & R DS(on) for reduced
losses in control FET applications.
The package is designed for vapor phase, infra-red,
convection, or wave soldering techniques. Power
V DS
R DS (on)
Q G
Q sw
Q oss
IRF7809A
30V
8.5 m ?
73 nC
22.5 nC
30 nC
IRF7811A
28V
12 m ?
23 nC
7 nC
31 nC
dissipation of greater than 2W is possible in a typical PCB
mount application.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
IRF7809A
30
±12
IRF7811A
28
Units
V
Continuous Drain or Source
T A = 25°C
I D
14.5
11.4
Current (V GS ≥ 4.5V)
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation
T L = 90°C
T A = 25°C
I DM
P D
14.2
100
2.5
11.2
100
A
W
T L = 90°C
2.4
Junction & Storage Temperature Range
T J , T STG
–55 to 150
°C
Continuous Source Current (Body Diode)
Pulsed Source Current ?
I S
I SM
2.5
50
2.5
50
A
Thermal Resistance
Parameter
Max.
Units
Maximum Junction-to-Ambient ?
Maximum Junction-to-Lead
www.irf.com
R θ JA
R θ JL
50
25
°C/W
°C/W
1
01/19/00
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7811ATR | MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC |
| BAV756DW-7-F | DIODE SW ARRAY QUAD 75V SC70-6 |
| 3386Y-1-200 | TRIMMER 20 OHM 0.5W TH |
| UB16KKG01N-E | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| 3386T-1-503 | TRIMMER 50K OHM 0.5W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7811APBF | 功能描述:MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7811ATR | 功能描述:MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7811ATRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 28V 11A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7811ATRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7811AV | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:N-Channel Application-Specific MOSFETs |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。