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参数资料
| 型号： | IRF820-001 |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | IRF820-001 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF821-013PBF | 2.5 A, 450 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF821-012 | 2.5 A, 450 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF821-009 | 2.5 A, 450 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF821 | 2.5 A, 450 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF822-012PBF | 2 A, 500 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF820-220 | 制造商:SUNTAC 制造商全称:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
| IRF820-220FP | 制造商:SUNTAC 制造商全称:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
| IRF820-251 | 制造商:SUNTAC 制造商全称:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
| IRF820-252 | 制造商:SUNTAC 制造商全称:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
| IRF820A | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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