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参数资料
| 型号： | IRF820PBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB |
| 产品目录绘图： | IR(F,L)x Series Side 1 IR(F,L)x Series Side 2 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 360pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1528 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRF820PBF |
IRF820, SiHF820
Vishay Siliconix
2.5
V GS
V DS
R D
D.U.T.
2.0
1.5
R G
10 V
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
+
- V DD
1.0
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
0.5
V DS
0.0
25
50
75
100
125
150
90 %
91059_09
T C , Case Temperature (°C)
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
10 %
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
10
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
P DM
0.1
0.02
0.01
Single Pulse
(Thermal Response)
Notes:
t 1
t 2
1. Duty Factor, D = t 1 /t 2
10 -2
2. Peak T j = P DM x Z thJC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
0.1
1
10
91059_11
t 1 , Rectangular Pulse Duration (s)
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
L
Vary t p to obtain
required I AS
V DS
t p
V DS
R G
D.U.T.
I AS
+
-
V DD
V DS
V DD
10 V
t p
0.01 Ω
I AS
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
Document Number: 91059
S11-0507-Rev. C, 21-Mar-11
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
www.vishay.com
5
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D3V-21G1-1C4A-K | SWITCH LEVER 20A SPDT .250 QC |
| VX-011-1C23 | SWITCH BASIC SPDT .1A .187QC |
| CRD5170-150-1 | DGTL SENSOR 3PHASE 150 VAC 1 AAC |
| CRD5150-150-5 | DGTL SENSOR 3PHASE 150 VAC 5 AAC |
| CR4150-5 | TRANSDUCER TWO ELEMENT 0-5AAC IN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF820R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB |
| IRF820S | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF820SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF820STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF820STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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