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参数资料
| 型号： | IRF822-013 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2 A, 500 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | IRF822-013 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF822FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS |
| IRF822R | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF823 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF823R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
| IRF8252PBF | 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.7mOhms 35nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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