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参数资料
| 型号： | IRF831-012 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 4.5 A, 450 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | IRF831-012 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRF831-003 | 4.5 A, 450 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF832-013PBF | 4 A, 500 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF832-011 | 4 A, 500 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF832-010 | 4 A, 500 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF8313PBF | 功能描述:MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF8313PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 9.7A SO8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, DUAL N-CH 30V 9.7A SO8 |
| IRF8313TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF831FI | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR |
| IRF831R | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
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