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参数资料
| 型号： | IRF841 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 8 A, 450 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | IRF841 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRF843 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| IRF740-030PBF | 10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF9Z14-007PBF | 6.7 A, 60 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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