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参数资料
| 型号： | IRF843-006 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 7 A, 450 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | IRF843-006 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF843-002 | 7 A, 450 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF843-001 | 7 A, 450 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF9510-001PBF | 3 A, 100 V, 1.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF9511-006PBF | 3 A, 80 V, 1.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF9511-001PBF | 3 A, 80 V, 1.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF843FI | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IRF843R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB |
| IRF8513PBF | 功能描述:MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF8513TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 11A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF8707GPBF | 功能描述:MOSFET HEXFET 30V VDSS 11.9mOhm 10V 6.2nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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