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参数资料
| 型号： | IRF8714GTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.7 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.35V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1020pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1523 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRF8714GTRPBFDKR |
IRF8714GPbF
25
ID = 14A
300
ID
20
15
TJ = 125°C
250
200
150
100
TOP 0.82A
1.0A
BOTTOM 11A
10
5
T J = 25°C
50
0
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
25
50
75
100
125
150
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 12. On-Resistance vs. Gate Voltage
V (BR)DSS
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig 13. Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
15V
tp
L
VDS
L
DRIVER
0
DUT
VCC
RG
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
- VDD
A
I AS
1K
20K
S
Fig 14. Unclamped Inductive Test Circuit
and Waveform
Id
Fig 15. Gate Charge Test Circuit
Vds
Vgs
Vgs(th)
Qgodr
Qgd
Qgs2 Qgs1
Fig 16. Gate Charge Waveform
6
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ET01SD1CBE | SWITCH TOGGLE TINY SPDT PC MNT |
| HF3545-223Y1R8-T01 | FILTER LINE 22MH 1.8A VERTICAL |
| 5239AB | SWITCH TOGGLE SPDT ON-OFF-ON |
| 631NH/2 | SWITCH TOGGLE SPST SLDR LUG 15A |
| B32561J1105K289 | FILM CAP 1.0UF 10% 100V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF8714PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.7mOhms 8.1nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF8714TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF8721GPBF | 功能描述:MOSFET HEXFET 30V VDSS 8.5mOhm 10V 8.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF8721GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 8.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF8721PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 8.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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