| 型号: | IRF9520-004 |
| 厂商: | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类: | JFETs |
| 英文描述: | 6.8 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数: | 2/2页 |
| 文件大小: | 68K |
| 代理商: | IRF9520-004 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9630-029 | 6.5 A, 200 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF9610-010PBF | 1.8 A, 200 V, 3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF9620STRLPBF | 2.5 A, 200 V, 1.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| IRFAE42 | 4.4 A, 800 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| IRFAF42 | 3.9 A, 900 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9520L | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF9520N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TO-220 |
| IRF9520NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRF9520NL | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF9520NLPBF | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |