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参数资料
| 型号： | IRF9520NSTRL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6.8A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| P通道| 100V的五（巴西）直| 6.8AI（四）|对263AB |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | IRF9520NSTRL |
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF9520NSTRLPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -100V, -6.8A, 480 MOHM, 18 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 6.8A 3PIN D2PAK - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P 100V D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, 100V, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, 100V, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:6.8A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):480mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| IRF9520NSTRR | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF9520NSTRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 6.8A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
| IRF9520NSTRRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 6.8A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
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