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参数资料
| 型号： | IRF9531-005 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 12 A, 80 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | IRF9531-005 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9531-004 | 12 A, 80 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF9531 | 12 A, 80 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF9533-013PBF | 10 A, 80 V, 0.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF9533-002PBF | 10 A, 80 V, 0.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF9533-001PBF | 10 A, 80 V, 0.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9532 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF9533 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF9540 | 功能描述:MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9540_PDD | 功能描述:MOSFET Replaced by SFP9540/P-CH/100V/19A/0.2OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9540_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-220AB P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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