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参数资料
| 型号： | IRF9630SPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 3.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | IRF9630SPBFCT IRF9630SPBFCT-ND |
IRF9630S, SiHF9630S
Vishay Siliconix
Vary t p to obtain
V DS
L
I AS
required I AS
R g
D.U.T.
-
+ V DD
V DS
- 10 V
t p
I AS
0.01 Ω
t p
V DS
V DD
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
1200
I D
1000
Top
- 2.9 A
- 4.1 A
Bottom - 6.5 A
800
600
400
200
0
V DD = - 50 V
25
50
75
100
125
150
91085_12c
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
Current regulator
Same type as D.U.T.
- 10 V
Q G
12 V
0.2 μF
50 k Ω
0.3 μF
V G
Q GS
Q GD
V GS
D.U.T.
V DS
- 3 mA
Charge
I G
I D
Current sampling resistors
Fig. 13a - Basic Gate Charge Waveform
www.vishay.com
6
Fig. 13b - Gate Charge Test Circuit
Document Number: 91085
S11-1051-Rev. C, 30-May-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9630STRL | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 6.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9630STRLPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 6.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9630STRR | 功能描述:MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF9630STRRPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 6.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9631 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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