参数资料
型号: IRF9Z24FPBF
厂商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分类: JFETs
英文描述: 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件页数: 1/11页
文件大小: 325K
代理商: IRF9Z24FPBF
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PDF描述
IRF9Z24F 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRFI820G-002PBF 2.1 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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相关代理商/技术参数
参数描述
IRF9Z24L 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A)
IRF9Z24LPBF 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRF9Z24N 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TO-220
IRF9Z24NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF9Z24NL 功能描述:MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件