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参数资料
| 型号： | IRF9Z24STRRPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 280 毫欧 @ 6.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 570pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF9Z24S, SiHF9Z24S, IRF9Z24L, SiHF9Z24L
Vishay Siliconix
R D
V DS
15
V GS
D.U.T.
R g
V DD
12
- 10 V
9
6
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
3
t d(on)
t r
t d(off) t f
V GS
0
10 %
25
50
75
100
125
150
175
91091_09
T C , Case Temperature (°C)
90 %
V DS
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
10
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
1
D = 0.50
0.2
0.1
0.05
P DM
0.1
0.02
0.01
Single Pulse
(Thermal Response)
t 1
t 2
Notes:
1. Duty Factor, D = t 1 /t 2
10 -2
2. Peak T j = P DM x Z thJC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
0.1
1
10
91091_11
t 1 , Rectangular Pulse Duration (s)
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Vary t p to obtain
V DS
L
I AS
required I AS
R g
D.U.T.
-
+ V DD
V DS
- 10 V
t p
I AS
0.01 Ω
t p
V DS
V DD
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
Document Number: 91091
S11-1063-Rev. C, 30-May-11
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
www.vishay.com
5
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1624144-1 | POT 47K OHM 0.4W 20% SIDE FLAT |
| ATS16B | CRYSTAL 16.0 MHZ 18 PF FUND |
| 252A154A50TA | POT JOYSTICK 150K OHM |
| ASA2-12.288MHZ-L-T | OSC 12.288 MHZ 1.8V SMD |
| 1624139-1 | POT 4.7K OHM 0.4W 20% SIDE FLAT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9Z25 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.9A I(D) | TO-220AB |
| IRF9Z30 | 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9Z30PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9Z32 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:P-CHANNEL 50 VOLT POWER MOSFETS |
| IRF9Z34 | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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