- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21643 > IRFB23N20D (International Rectifier)MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFB23N20D |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 86nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1960pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFB23N20D |
IRFB/IRFS/IRFSL23N20D
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
200
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.26
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.10
?
V GS = 10V, I D = 14A
?
V GS(th)
I DSS
I GSS
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
5.5 V V DS = V GS , I D = 250μA
25 V DS = 200V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 160V, V GS = 0V, T J = 150°C
100 V GS = 30V
nA
-100 V GS = -30V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
––– I D = 14A
g fs
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
13
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
57
14
27
14
32
26
––– S V DS = 50V, I D = 14A
86 I D = 14A
21 nC V DS = 160V
40 V GS = 10V, ??
––– V DD = 100V
ns
––– R G = 4.6 ?
t f
Fall Time
–––
16
––– V GS = 10V
?
C iss
C oss
C rss
C oss
C oss
C oss eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1960
300
65
2200
120
220
––– V GS = 0V
––– V DS = 25V
––– pF ? = 1.0MHz ?
––– V GS = 0V, V DS = 1.0V, ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 160V, ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 0V to 160V ?
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
E AR
Single Pulse Avalanche Energy ??
Avalanche Current ?
Repetitive Avalanche Energy ?
–––
–––
–––
250
14
17
mJ
A
mJ
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
–––
0.90
R θ CS
R θ JA
R θ JA
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface ?
Junction-to-Ambient ?
Junction-to-Ambient ?
0.50
–––
–––
–––
62
40
°C/W
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ??
––– –––
––– –––
24
96
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
Diode Forward Voltage
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 14A, V GS = 0V
?
t rr
Q rr
t on
2
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
––– 200 300 ns T J = 25°C, I F = 14A
––– 1300 1940 nC di/dt = 100A/μs ?
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2963983 | SAFETY RELAY DIN RAIL MOUNT |
| ECH-U1H821GB5 | CAP FILM 820PF 50VDC 0805 |
| ECH-U1H471GB5 | CAP FILM 470PF 50VDC 0805 |
| ECH-U1H331GB5 | CAP FILM 330PF 50VDC 0805 |
| ECH-U1H181GB5 | CAP FILM 180PF 50VDC 0805 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFB23N20DHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRFB23N20DPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 24A 100mOhm 57nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFB260 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A) |
| IRFB260N | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A) |
| IRFB260NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 56A 40mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。